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IXFR18N90P
32
28
Fig. 7. Input Admittance
18
16
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
24
14
25oC
12
20
16
T J = 125oC
25oC
- 40oC
10
8
125oC
12
6
8
4
0
4
2
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
4
8
12
16
20
24
28
32
60
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 450V
50
40
30
8
7
6
5
4
I D = 9A
I G = 10mA
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
Ciss
1,000
0.1
Coss
100
Crss
f = 1 MHz
10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Rhange Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: F_18N90P(76)10-22-08
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